แสดงบทความที่มีป้ายกำกับ XPS แสดงบทความทั้งหมด
แสดงบทความที่มีป้ายกำกับ XPS แสดงบทความทั้งหมด

วันอาทิตย์ที่ 31 มีนาคม พ.ศ. 2562

Ion-induced reduction ขณะทำการวิเคราะห์ด้วย XPS MO Memoir : Sunday 31 March 2562

เทคนิค X-ray Photoelectron Spectroscopy (ชื่อย่อคือ XPS) หรือในฃื่อเดิมคือ Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ชื่อย่อคือ ESCA) ใช้รังสีเอ็กซ์พลังงานต่ำ (เส้น Al Kα หรือ Mg Kα) ฉายลงไปบนตัวอย่างที่เป็นของแข็ง จากนั้นจึงทำการตรวจวัดพลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนที่หลุดออกมาจากตัวอย่าง (ที่เรียกว่า photoelectron)
 
ด้วยการที่รังสีเอ็กซ์ที่ใช้นั้นมีพลังงานต่ำ พลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนที่หลุดออกมานั้นจึงไม่มาก โอกาสที่อิเล็กตรอนที่หลุดออกมาจากอะตอมที่อยู่ลึกลงไปจากพื้นผิวจะหลุดออกมาจากตัวอย่างและวิ่งไปถึงตัวตรวจวัดได้นั้นจึงมีน้อย ดังนั้นจึงถือได้ว่าอิเล็กตรอนที่ตรวจวัดได้นั้นเป็นอิเล็กตรอนที่หลุดออกมาจากอะตอมที่อยู่ที่ชั้นบนสุดของพื้นผิวหรืออยู่ใกล้กับพื้นผิว (เอาเป็นว่าไม่น่าจะเกิด 10 ชั้นอะตอม)

รูปที่ ๑ เครื่อง XPS ประจำแลป ถ้านับอายุถึงตอนนี้ก็น่าจะเกือบ ๒๐ ปีแล้ว

นอกจากนี้ด้วยการที่อิเล็กตรอนที่หลุดออกมาได้นั้นมีพลังงานต่ำ ทำให้พลังงานจลน์ของมันขึ้นอยู่กับเลขออกซิเดฃัน (oxidation state) ของอะตอมที่มันหลุดออกมา กล่าวคือถ้าอะตอมที่อิเล็กตรอนหลุดออกมานั้นมีเลขออกซิเดชันที่สูง (มีความเป็นประจุบวกมาก) พลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนที่หลุดออกมาก็จะต่ำกว่าตัวที่หลุดออกมาจากอะตอมที่มีเลขออกซิเดชันที่ต่ำกว่า ประกอบกับการพัฒนาทางด้านเทคโนโลยีในช่วงไม่กี่ทศวรรษที่ผ่านมาทำให้ตัวเครื่องมีราคาที่ถูกลงและมีขนาดที่เล็กลง ทำให้มีการนำเทคนิคนี้มาใช้ในการวิเคราะห์โครงสร้างอะตอมที่อยู่บนพื้นผิวตัวอย่างกันมากขึ้น
  
ในการรายงานผลนั้นเขามักจะรายงานกันในรูปค่า "พลังงานยึดเหนี่ยว (Binding energy) ที่มีหน่วยเป็น eV (อิเล็กตรอนโวลต์) ซึ่งคำนวณได้คร่าว ๆ จากพลังงานของรังสีเอ็กซ์ที่ใช้ ลบด้วยพลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนที่วัดได้ (อันที่จริงยังมีพารามิเตอร์อื่นเพิ่มเติมอีก) กล่าวคือสำหรับอะตอมของธาตุเดียวกัน อิเล็กตรอนที่มีพลังงานยึดเหนี่ยวที่สูงกว่าจะเป็นตัวที่หลุดออกมาจากอะตอมที่มีเลขออกซิเดชันที่สูงกว่า
 
เทคนิค XPS นี้ไม่จำกัดการใช้งานอยู่เพียงแค่สารประกอบไอออนิก แต่ยังสามารถนำไปใช้กับการวิเคราะห์สารประกอบโควาเลนซ์ได้ด้วย เช่นกรณีของสารอินทรีย์ที่มี C เป็นองค์ประกอบ อะตอม C ที่ต่ออยู่กับอะตอม C ด้วยกันก็จะให้ photoelectron ที่มีพลังงานยึดเหนี่ยวต่ำกว่าของอะตอม C ที่ต่ออยู่กับอะตอมที่มีเลข electronegativity ที่สูงกว่า เช่น C-OH, C-Cl, C-F ในทำนองเดียวกันค่าพลังงานยึดเหนี่ยวของ photoelectron ที่หลุดออกมาจากอะตอม C ของโครงสร้าง -CH2Cl ก็จะต่ำกว่าของตัวที่หลุดออกมาจากอะตอม C ของโครงสร้าง -CHCl2   
  
สิ่งสำคัญสิ่งหนึ่งที่ต้องคำนึงในการเตรียมตัวอย่างเพื่อวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XPS คือการสะเทินประจุของตัวอย่าง (ที่เรียกว่า grounding) โดยเฉพาะตัวอย่างที่ไม่นำไฟฟ้า (เช่นพวกสารประกอบโลหะออกไซด์ต่าง ๆ) เพราะในระหว่างการวิเคราะห์นั้นจะมีการดึงอิเล็กตรอนออกจากตัวอย่าง ทำให้ตัวอย่างมีความเป็นประจุบวก ซึ่งถ้าไม่ทำการสะเทินประจุนี้ก็จะทำให้อิเล็กตรอนที่หลุดออกมานั้นมีพลังงานจลน์ลดลงได้ (ผลจากการที่ตัวอย่างมีความเป็นบวกเพิ่มมากขึ้นในระหว่างการวิเคราะห์ จึงออกแรงดึงมากขึ้นต่ออิเล็กตรอนที่จะหลุดออก) ปํญหานี้ก็มีลักษณะเช่นเดียวกับการเตรียมตัวอย่างเพื่อวิเคราะห์ด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ที่ตัวอย่างถูกระดมยิงด้วยลำอิเล็กตรอน ทำให้ถ้าไม่ทำการระบายอิเล็กตรอนออกไปด้วยการให้ตัวอย่างนำไฟฟ้าได้ อิเล็กตรอนที่สะสมในตัวอย่างจะผลักให้ลำอิเล็กตรอนที่ยิงตามหลังมานั้นเบี่ยงเบนไป ทำให้การเบี่ยงเบนที่เห็นนั้นเกิดจากการผลักกันของประจุแทนที่จะเป็นการตกกระทบชิ้นตัวอย่าง
 
การศึกษาด้านตัวเร่งปฏิกิริยาวิวิพันธุ์ในปัจจุบันมีการนำเอา XPS มาใช้ในการวิเคราะห์เลขออกซิเดชันของอะตอมโลหะมากขึ้น มีงานวิจัยหลายงานกล่าวถึงการปรากฏของไอออนบวกที่มีเลขออกซิเดชัน "ต่ำลง" จากที่ควรเป็น และบางครั้งก็มีการอ้างว่าไอออนที่มีเลขออกซิเดชันที่ต่ำลงที่ตรวจพบนั้นทำหน้าที่เป็นแหล่งว่องไว (active site) ในการทำปฏิกิริยา หรือทำให้โครงร่างผลึกเกิดความไม่สมบูรณ์แบบ (ที่บางรายชอบเรียกว่าเป็น defect) และส่งผลทำให้ตัวเร่งปฏิกิริยาทำงานได้ดีขึ้น แต่ถ้าศึกษางานวิจัยเกี่ยวกับการวัดด้วยเทคนิค XPS ให้กว้างขึ้นก็จะพบว่า การปรากฏของไอออนบวกที่มีเลขออกซิเดชันต่ำลงจากเดิมนั้นมันสามารถเกิดขึ้นระหว่างกระบวนการวัด (คือไม่ได้มีมากับตัวอย่างแต่แรก) โดยปัจจัยหลัก ๒ ปัจจัยที่ทำให้ไอออนบวกถูกรีดิวซ์ให้มีเลขออกซิเดชันที่ลดลงคือระยะเวลาที่ตัวอย่างได้รับรังสีเอ็กซ์และการระดมยิงพื้นผิวด้วยไอออนเพื่อทำความสะอาดหรือกำจัดอะตอมชั้นบนออกจากพื้นผิว (ที่เรียกว่าทำ ion etching หรือ ion sputtering) ดังนั้นใน Memoir ฉบับนี้จะขอยกตัวอย่างบางตัวอย่างที่เกี่ยวกับผลของระยะเวลาที่ได้รับรังสีเอ็กซ์และการระดมยิงพื้นผิวด้วยไอออน ที่ทำให้เกิดไอออนที่มีเลชออกซิเดชันที่ลำต่ำลง

. ระยะเวลาที่ได้รับรังสีเอ็กซ์

ตัวอย่างที่เป็นสารประกอบโลหะออกไซด์นั้น เวลาที่เรานำไปวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XPS รังสีเอ็กซ์ที่ฉายลงไปจะซึมลึกลงไปในเนื้อตัวอย่าง ในกรณีที่ตัวอย่างเป็นผงนั้นก็อาจถือได้ว่ารังสีเอ็กซ์ทะลุลงไปถึงทุกอะตอมของผงอนุภาค อิเล็กตรอนที่หลุดออกมาจากสารประกอบโลหะออกไซด์นั้นมีทั้งที่หลุดออกมาจากไอออน O2- และไอออนบวกของโลหะ Mn+ แต่ด้วยการที่อิเล็กตรอนที่หลุดออกมานั้นมีพลังงานต่ำ มันจึงถูกจับด้วยไอออนตัวที่อยู่ใกล้พื้นผิวกว่าได้ง่าย ผลของการจับอิเล็กตรอนนี้ทำให้เห็นไอออน Mn+ มีประจุที่ลดต่ำลง (คือถูกรีดิวซ์) และด้วยการที่ไอออน O2- สูญเสียอิเล็กตรอนออกไป จึงทำให้มันมีโอกาสที่จะรวมตัวกันกลายเป็นแก๊ส O2 และหลุดออกจากพื้นผิว ซึ่งภาพโดยรวมคือการเห็นตัวอย่างนั้นถูกรีดิวซ์อันเป็นผลจากการได้รับรังสีเอ็กซ์ ดังเช่นกรณีของไอออน V5+ และ W6+ ที่นำมาให้ดูในรูปที่ ๒-๕

รูปที่ ๒ บทความเกี่ยวกับการที่ไอออน V5+ ถูกรีดิวซ์เป็น V4+ ในระหว่างการวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XPS อันเป็นผลจากการฉายรังสีเอ็กซ์ กล่าวคือไอออน V4+ ที่ตรวจพบนั้นไม่ได้มีอยู่ในตัวอย่างแต่แรก แต่เกิดขึ้นจากการได้รับรังสีเอ็กซ์ และเกิดมากขึ้นเมื่อได้รับรังสีเอ็กซ์นานขึ้นจน V5+ แทบจะไม่เหลือเมื่อได้รับรังสีนาน 2 ชั่วโมง

รูปที่ ๓ บทความเกี่ยวกับการที่ไอออน V5+ ถูกรีดิวซ์เป็น V4+ ในระหว่างการวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XPS อันเป็นผลจากการฉายรังสีเอ็กซ์และการระดมยิงด้วยไอออน Ar+

จากบทความที่ค้นเจอพบว่า ปริมาณไอออนบวกที่ถูกรีดิซ์นั้นขึ้นอยู่กับ ชนิดโลหะ พลังงานของรังสีเอ็กซ์ และระยะเวลาที่โดนรังสีเอ็กซ์ พลังงานของรังสีเอ็กซ์นั้นขึ้นอยู่กับการปรับแต่งค่ากระแสและความต่างศักย์ที่ตัวเครื่อง ส่วนระยะเวลาที่ได้รับนั้นอาจขึ้นอยู่กับจำนวนรอบของการวัด ที่ควรต้องทำซ้ำจนกว่าสัญญาณที่ได้จะมีค่า signal to noise ratio ต่ำสุด ซึ่งตรงนี้คงพูดยากว่าต้องทำการวัดซ้ำกี่ครั้ง การเกิดไอออนที่ถูกรีดิวซ์นั้นบางครั้งก็ยากที่จะเห็น เว้นแต่จะนำพีคค่าพลังงานยึดเหนี่ยวมาทำการแยกพีค (peak deconvolution) เช่นในกรณีของรูปที่ ๔ และ ๕

รูปที่ ๔ รูปด้านซ้ายแสดงการเกิด V4+ หลังจากตัวอย่างได้รับรังสีเอ็กซ์นาน 880 นาที ส่วนรูปด้านขวาแสดงสัดส่วน V4+ ที่พบเพิ่มมากขึ้นตามเวลาที่ได้รับรังสีเอ็กซ์ รูปนี้มาจากบทความในรูปที่ ๓

รูปที่ ๕ การปรากฏของไอออน W5+ หลังจากที่ตัวอย่าง WO3 (ที่มีไอออน W6+) ได้รับรังสีเอ็กซ์นานขึ้น ผลการทดลองนี้นำมาจากบทความในรูปที่

. การระดมยิงพื้นผิวด้วยไอออน

การระดมยิงพื้นผิวด้วยไอออนเช่น Ar+ ที่เรียกว่า ion etching หรือ ion sputtering นั้นเป็นการให้ไอออนพลังงานจลน์สูงพุ่งเข้ากระทบพื้นผิว ทำให้อะตอมบนผิวหน้าพื้นผิวนั้นหลุดออกไป เทคนิคนี้ใช้ทั้งเพื่อการทำความสะอาดพื้นผิวและศึกษาองค์ประกอบทางเคมีของตัวอย่างที่ระดับความลึกต่าง ๆ กัน แต่ด้วยการที่ไอออนออกซิเจนถูกกำจัดออกไปมากตั้งแต่เริ่มกระบวนการ จึงทำให้เห็นปรากฏการณ์ ion-induced reduction ได้ง่ายกว่ากรณีของการได้รับรังสีเอ็กซ์เพียงอย่างเดียว เรียกว่าเริ่มเห็นปรากฏการณ์ดังกล่าวทันทีที่เริ่มกระบวนการเลยก็ได้ กล่าวคือในกรณีของรังสีเอ็กซ์นั้นต้องใช้เวลานานหลายชั่วโมงจึงจะเห็นได้ฃัดเช่นในรูปที่ ๔ และ ๕ ที่ต้องใช้เวลานานหลายชั่วโมง แต่ในกรณีของการทำ ion etching สามารถเห็นการรีดิวซ์เกิดได้ทันทีแม้ว่าจะทำการ etching เพียงเวลาสั้น ๆ คืออยู่ในระดับวินาที ดังเช่นในรูปที่ ๖ ที่เห็นไอออน V5+ หายไปเกือบหมดด้วยการทำ ion etching นานไม่ถึง 1 นาที

รูปที่ ๖ ผลการทดลองของบทความในรูปที่ ๓ ที่แสดงให้เห็นการที่ V5+ ถูกรีดิวซ์อย่างรวดเร็วจนหมดไป ด้วยการทำ ion etching นานไม่ถึง 1 นาที บทความนี้ระบุเอาไว้ด้วยว่าการทำ peak fitting ด้วยฟังก์ชันที่มีความสมมาตรนั้นให้ผลออกมาไม่ดี แต่ถ้าใช้ฟังก์ชันที่ไม่สมมาตร (asymmetric line shape) จะให้ผลที่ดีกว่าในระดับที่สูงกว่า 99% และยังระบุด้วยว่างานด้าน electron spectroscopy มักจะใช้ asymmetric line shape กันในการทำ curve fitting เรื่อง line shape นี้อ่านเพิ่เติมได้ที่ http://www.casaxps.com/help_manual/line_shapes.htm

รูปที่ ๗ บทความนี้เป็นกรณีของตัวอย่าง WO3 ที่แสดงปริมาณไอออน W6+ ที่ถูกรีดิวซ์ โดยดูได้จากอัตราส่วน O/W กล่าวคือยิ่งสัดส่วนนี้ลดลงแสดงว่าปริมาณไอออนออกซิเจนในตัวอย่างนั้นลดลง หรือ W มีเลขออกซิเดชันที่ลดต่ำลงนั่นเอง ส่วนกราฟผลการทดลองนั้นดูได้ในรูปที่ ๘

รูปที่ ๘ ผลการทดลองของบทความในรูปที่ ๗ ที่แสดงให้เห็นการหายไปของไอออน W6+ และการเกิดขึ้นของไอออน W5+ และ W4+ ที่เพิ่มขึ้นเรื่อย ๆ เมื่อเพิ่มเวลาการทำ ion etching การแปลผลตรงนี้ต้องใช้การทำ peak deconvolution เข้าช่วย แต่ทื้งนี้การเลือกลากแนวเส้น base line และการเลือก distribution function ก็มีความสำคัญในการทำ deconvolution เพราะถ้าเลือก distribution function ไม่เหมาะสมแล้วจะพบว่าต้องใช้หลายพีคย่อยในการรวมให้ได้พีคใหญ่เพียงแค่พีคเดียว ทำการแปลผลผิดเพี้ยนไปได้ เรื่องการแยกพีค XPS นี้อ่านเพิ่มเติมได้ใน Memoir ปีที่ ๑๑ ฉบับที่ ๑๖๖๖ วันอาทิตย์ที่ ๑๐ กุมภาพันธ์ ๒๕๖๒ เรื่อง "XPS ตอน การแยกพีค Mo และ W (การทำวิทยานิพนธ์ภาคปฏิบัติ ตอนที่ ๙๙)" ในบทความนี้ไม่ได้บอกว่าใช้ distribution fucntion แบบไหนในการทำ แต่ที่ดูจากรูปทรงของพีคแล้ว (โดยเฉพาะในรูป j และ k) รู้สึกว่าหลายพีคเลยไม่น่าจะเป็น Gaussian function

รูปที่ ๙ รูปนี้นำมาจากเอกสารเผยแพร่ของ Kartos ที่เป็นผู้ผลิตเครื่อง XPS ชั้นนำรายหนึ่งของโลก (ที่มีชื่อ Shimadzu อยู่ก็เพราะ Shimadzu ได้ซื้อบริษัทนี้ แต่ยังเก็บชื่อเดิมเอาไว้เพราะมันติดตลาดมากกว่า) เครื่อง XPS ที่ผมเคยใช้ที่นำมาให้ดูในรูปที่ ๑ ก็เป็นเครื่องที่ผลิตโดยบริษัทนี้ ในบทความนี้แสดงให้เห็นถึงการทำ ion sputtering ด้วย Ar+ ที่กำจัด O2- ออกจากตัวอย่างไปมากจนกระทั่ง Ti4+ เดิมที่อยู่ในโครงสร้าง TiO2 ถูกรีดิวซ์จนกลายเป็น Ti2+ และ Ti3+ ที่เห็นได้จากพีคของ Ti4+ หายไปเกือบหมด และเกิด broad band ขึ้นทางด้านขวา ที่น่าจะเกิดจากการเหลื่อมซ้อนทับกันของพีค Ti2+ และ Ti3+ อีกจุดหนึ่งที่อยากให้สังเกตคือความไม่เรียบของเส้นสีน้ำเงิน (หลังจาก sputtering) ที่เพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับเส้นสีดำ (ก่อนการทำ sputtering) ลักษณะเช่นนี้บ่งบอกว่าอาจมีการขยายสเกลแกน y ของเส้นสีน้ำเงินเพื่อให้เห็นพีคได้ชัดเจนขึ้น ทำให้ noise ของสัญญาณปรากฏชัดเจนขึ้นด้วย

ที่วันนี้เขียนเรื่องนี้ก็เพราะเมื่อวันพฤหัสบดีที่ผ่านมาในระหว่างชั่วโมงสัมมนานิสิตป.เอก ผมได้ทักนิสิตคนหนึ่งที่มีการทำ etching ตัวอย่างของเขาก่อนวัด XPS ที่เขาพบว่าตัวอย่างที่เป็นโลหะออกไซด์นั้นมีส่วนที่เป็นโลหะอยู่ใต้พื้นผิวหลังการทำ etching ว่าสิ่งที่เขาเห็นนั้นอาจไม่ได้มีอยู่ตั้งแต่ต้นในตัวอย่างของเขา แต่อาจเกิดจากการทำ etching ที่เขาทำกับตัวอย่างการการวิเคราะห์ XPS และเพื่อเป็นการสนับสนุนข้อทักท้วงของผม ก็เลยต้องเขียนเรื่องนี้ออกมาเพื่อแสดงให้เห็นว่าไม่ได้ทักท้วงขึ้นมาลอย ๆ แบบแกล้งหาเรื่องเท่านั้นเองครับ เพราะแทบทุกเรื่องที่ผมทักไปมักไม่ได้รับความสนใจ (อาจเป็นผลว่าผมไม่ได้เป็นกรรมการสอบพวกเขา) แต่มันส่งผลต่อการตีความผลการทดลอง หวังว่าบทความนี้คงพอช่วยให้ผู้อ่านรู้ทันผลงานวิจัยที่นักวิจัยนำเสนอได้บ้างไม่มากก็น้อย ว่าการตีความนั้นมีการเข้าข้างตัวเองมากน้อยแค่ใด

รูปที่ ๑๐ บทความนี้ศึกษาผลของการทำ ion etching ที่มีต่อการรีดิวซ์ไอออน Fe3+ ให้กลายเป็น Fe2+ อันเป็นผลจากการที่ตัวอย่างนั้นสูญเสียออกซิเจนออกไปมากกว่าการสูญเสียไอออนบวก

รูปที่ ๑๑ XPS spectra ของ Fe ที่รายงานไว้ในบทความในรูปที่ ๑๐

รูปที่ ๑๒ รูปนี้ก็ยังนำเอามาจากบทความในรูปที่ ๑๐ แต่เป็นของโลหะ Ni

รูปที่ ๑๓ อีกบทความที่ศึกษาผลของการทำ ion etching ที่ไปทำให้ไอออนบวกของโลหะนั้นถูกรีดิวซ์ให้มีเลขออกซิเดชันที่ลดต่ำลง

รูปที่ ๑๔ XPS spectra ของโลหะ Mo ที่รายงานไว้ในบทความของรูปที่ ๑๓

รูปที่ ๑๕ บทความนี้รายงานการถูกรีดิวซ์ของไอออน Ti4+ (ที่ถูกรีดิวซ์จนมีเลขออกซิเดชันเป็น 3+ และ 2+) และของโลหะ Ni และ Pb (รูปที่ ๑๖ และ ๑๗) ซึ่งพบว่าระดับการถูกรีดิวฅซ์ยังขึ้นอยู่กับพลังงานของไอออนที่ยิงลงไปที่ตัวอย่าง ซึ่งพบว่ามีการสูญเสียออกซิเจนเพิ่มเขึ้นเมื่อเพิ่มพลังงานไอออนที่ยิงใส่พื้นผิวนั้นให้สูงขึ้น 

รูปที่ ๑๖ XPS spectra ของโลหะ Ni และ Ti จากบทความในรูปที่ ๑๕

รูปที่ ๑๗ XPS spectra ของโลหะ Pb และ Ti จากบทความในรูปที่ ๑๕

วันอาทิตย์ที่ 10 กุมภาพันธ์ พ.ศ. 2562

XPS ตอน การแยกพีค Mo และ W (การทำวิทยานิพนธ์ภาคปฏิบัติ ตอนที่ ๙๙) MO Memoir : Sunday 9 February 2562

สิ่งสำคัญในการทำ peak fitting หรือ peak deconvolution คือการใช้ฟังก์ชันที่ถูกต้องกับรูปแบบการกระจายตัว (distribution) ของข้อมูล ในบางปรากฏการณ์นั้นรูปแบบการกระจายตัวอาจมีเพียงรูปแบบเดียว แต่ในหลายปรากฏการณ์นั้นรูปแบบการกระจายตัวอาจมีได้หลายรูปแบบ ขึ้นอยู่กับคุณลักษณะของตัวอย่างที่นำมาวิเคราะห์ (เช่นกรณีของสัญญาณ XRD) ดังนั้นในกรณีที่ข้อมูลนั้นอาจมีการกระจายตัวได้หลายรูปแบบ การทำ peak fitting หรือ peak deconvolution จึงควรทดสอบด้วยฟังก์ชันการกระจายตัวรูปแบบต่าง ๆ แล้วจึงค่อยพิจารณาว่ารูปแบบไหนเข้ากับข้อมูลที่มีอยู่มากที่สุด แล้วจึงค่อยเอาผลที่ได้มาใช้
 
ตัวอย่างที่นำมาแสดงในวันนี้เป็นข้อมูลการวัด XPS ของตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 และ WO3-MgO/TiO2 ที่นำเสนอไปเมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา และได้ทำการปรับค่าพีคอ้างอิง C1s ที่ 285.0 eV แล้ว โดยในตอนที่แล้วต้องการแสดงให้เห็นถึงจำนวนรอบการสแกนที่มีผลต่อค่า signal to noise ratio โดยนำเอาข้อมูลตรงช่วง N1s มาแสดง มาคราวนี้จะเป็นการนำเอาข้อมูลช่วง Mo3d และ W4f มาทดลองทำการแยกพีค (peak deconvolution) ด้วยฟังก์ชันการกระจายตัว (distribution function) 3 ฟังก์ชันด้วยกันคือ Voigt, Doniach Sunjic และ Gaussian การคำนวณใช้โปรแกรม fityk 0.9.8
 
การคำนวณเริ่มโดยการให้โปรแกรมคำนวณหา Shirley baseline ก่อน ตามด้วยการตัด Shirley baseline (ในตัวโปรแกรม fityk 0.9.8 มีฟังก์ชันนี้อยู่แล้ว) ตามด้วยการทำให้ข้อมูลที่อยู่ข้าง ๆ พีคหลักอยู่ในรูป inactive ก่อน (เพื่อป้องกันไม่ให้ส่งผลต่อการวางตำแหน่งพีคเริ่มต้นการคำนวณ) จากนั้นจึงให้โปรแกรมทำการวางตำแหน่งพีคเริ่มต้น 2 พีค (ซึ่งจะอยู่ในบริเวณที่เป็นพีคหลัก) แล้วจึงค่อยทำการ regression 
  
Voigt function เป็นฟังก์ชันที่ส่วนลำตัวมีลักษณะที่เรียวแคบกว่า และการแผ่ลาดไปยังส่วนฐานมีลักษณะที่ค่อย ๆ แผ่ออกไป เมื่อเทียบกับ Gaussian function ฟังก็ชันนี้ในหลายกรณีพบว่าเข้ากับพีค XRD ได้ดีกว่า Gaussian function ส่วน Doniach Sunjic function นั้นเป็นฟังก์ชันที่มีลักษณะการกระจายตัวที่ไม่สมมาตร (คือถ้าแบ่งครึ่งพีคซ้าย-ขวาให้มีพื้นที่เท่ากัน จุดแบ่งครึ่งจะไม่อยู่ตรงจุดยอดพีค แต่จะอยู่ข้าง ๆ ต่ำลงมาเล็กน้อย) มีบางเว็บกล่าวว่าในบางกรณีฟังก์ชันนี้เข้ากับ line shape ของสัญญาณ XPS ได้ดีกว่าฟังก์ชันอื่น (http://www.casaxps.com/help_manual/line_shapes.htm) ก็เลยลองนำมาทดสอบด้วย
 
การที่เลือกใช้ Shirley baseline ก็เพราะดูแล้วรูสึกว่าพีคตัวอย่างที่นำมานั้นอยู่บริเวณช่วงที่ระดับ baseline ข้างซ้ายและข้างขวาอยู่ต่างระดับกัน คือมีการเปลี่ยนแปลงระดับแบบ S-curve ในบริเวณดังกล่าว (ไม่ได้เปลี่ยนแบบเป็นเส้นตรง) 
  
รูปที่ ๑ และ ๒ เป็นผลที่ได้จากการวัดและทำ peak deconvolution พีค Mo3d ในขณะที่รูปที่ ๓ และ ๔ เป็นผลที่ได้จากการวัดและทำ peak deconvolution พีค W4f ยังไงก็ลองพิจารณาดูรูปเอาเองก็แล้วกันนะครับ เห็นอย่างไรก็เป็นไปตามนั้น แต่ทั้งนี้ทั้งนั้นขอเตือนเอาไว้อย่างก็คือ วิธีการตัดเส้น baseline นั้น ไม่ว่าจะให้โปรแกรมทำให้หรือจะเลือกลากเอง สามารถส่งผลต่อผลของการทำ peak deconvolution ที่จะออกมา
 
(หมายเหตุ : สำหรับบางคนที่เพิ่มจะผ่านมาเจอ พีค XPS แต่ละพีคนั้นจะเรียกด้วยชื่อธาตุและชั้นวงโคจรของของอิเล็กตรอนที่หลุดออกมา เช่นพีค Mo3d ก็หมายถึงอิเล็กตรอนที่หลุดออกมาจากชั้นวงโคตร 3d ของธาตุ Mo ซึ่งบางทีมันก็จะมีตัวเลขต่อท้ายอีกเช่น 3d5/2 เพราะชั้น 3d มันมีหลาย orbital)

รูปที่ ๑ รูปบนเป็นสัญญาณตรงบริเวณ Mo3d ก่อนให้โปรแกรมทำการคำนวณและตัดเส้น Shirley base line ส่วนรูปล่างเป็นผลการทำ peak deconvolution ด้วยการใช้ Voigt function ในการคำนวณนั้นมีการทำให้จุดข้อมูลบริเวณส่วนฐานที่มี peak อื่นซ้อนอยู่นั้นให้เป็นจุดที่ inactive (ไม่ได้เอามาใช้ในการทำ peak fitting)

รูปที่ ๒ เป็นตอนต่อจากรูปที่ ๑ โดยรูปบนเป็นผลการทำ peak deconvolution ด้วยการใช้ Doniach Sunjic funciton ส่วนรูปล่างเป็นผลที่ได้จากการใช้ Gaussian distribution function ในกราฟทุกรูปนั้น (รูปที่ ๑-๔) แกนนอนคือค่า Binding energy (B.E.) มีหน่วยเป็น eV (electron volt) ส่วนแกนตั้งคือค่าความแรงของสัญญาณ (count)

รูปที่ ๓ รูปบนเป็นสัญญาณตรงบริเวณ W4f ก่อนให้โปรแกรมทำการคำนวณและตัดเส้น Shirley base line ส่วนรูปล่างเป็นผลการทำ peak deconvolution ด้วยการใช้ Voigt function ในการคำนวณนั้นมีการทำให้จุดข้อมูลบริเวณส่วนฐานที่มี peak อื่นซ้อนอยู่นั้นให้เป็นจุดที่ inactive (ไม่ได้เอามาใช้ในการทำ peak fitting)

รูปที่ ๔ เป็นตอนต่อจากรูปที่ ๓ โดยรูปบนเป็นผลการทำ peak deconvolution ด้วยการใช้ Doniach Sunjic funciton ส่วนรูปล่างเป็นผลที่ได้จากการใช้ Gaussian distribution function

เว็บ https://xpssimplified.com/periodictable.php ให้ค่า binding energy ของ Mo3d5/2 สำหรับบางสารประกอบไว้ดังนี้คือ Mo (เลขออกซิเดชัน 0) 228.0 eV, MoO2 (เลขออกซิเดชัน 4+) 229.5 eV และ MoO3 (เลขออกซิเดชัน 6+) 233.1 eV และในกรณีของโลหะ W เว็บเดียวกันนี้ให้ค่า binding energy ของ W4f7/2 สำหรับบางสารประกอบไว้ดังนี้คือ W (เลขออกซิเดชัน 0) 31.6 eV, WS2 (เลขออกซิเดชัน 4+) 32.4 eV, WO2 (เลขออกซิเดชัน 4+) 33.1 eV และ WO3 (เลขออกซิเดชัน 6+) 36.1 eV
 
ค่า binding energy นั้นอาจเปลี่ยนแปลงไปตามชนิดแหล่งกำเนิดรังสีเอ็กซ์ (กล่าวคือใช้ Mg หรือ Al เป็นแหล่งกำเนิดรังสี) และตำแหน่งพีคอ้างอิง (ปรกติก็มักจะเป็น C1s หรือ O1s) ดังนั้นถ้าพบว่าพีคที่วัดได้กับที่หา reference ได้นั้นมันแตกต่างกันอยู่ ก็ควรทำการตรวจสอบข้อมูลตรงจุดนี้ด้วย หรือไม่ก็ต้องลองทำการตรวจสอบตำแหน่งสัมพัทธ์ของพีคที่ปรากฏนั้นประกอบด้วย อย่างเช่นกรณีของพีค W4f ในรูปที่ ๓ และ ๔ นั้น แม้ว่าตำแหน่งจะไม่ตรงกับในรูปที่ ๕ ที่นำมาเปรียบเทียบ แต่ถ้าพิจารณาระยะหว่างระหว่างพีค W4f5/2 และ W4f7/2 แล้วจะเห็นว่าตรงกันอยู่

รูปที่ ๕ พีคต่าง ๆ ของ W4f (นำมาจาก https://xpssimplified.com/elements/tungsten.php ข้อมูล ณ วันศุกร์ที่ ๘ กุมภาพันธ์ ๒๕๖๒) จะเห็นว่าพีค W4f ของ W6+ มี 2 พีค ซึ่งเป็นของอิเล็กตรอนที่ต่าง orbital กัน ไม่ได้มาจากไอออน W ที่มีเลขออกซิเดชันต่างกัน

ผมเองก็ไม่ได้เล่นเครื่องนี้มานาน และก็ไม่ได้เป็นผู้รู้ดีอะไรมากในเรื่องนี้ บทความนี้เพียงแค่ต้องการแสดงให้เห็นว่า การแต่งผลการวิเคราะห์ด้วยเทคนิคทางคณิตศาสตร์นั้นมันสามารถกระทำได้ ขึ้นอยู่กับว่าเราจะตรวจสอบข้อมูลดิบลงไปลึกแค่ไหนเท่านั้นเอง

วันศุกร์ที่ 8 กุมภาพันธ์ พ.ศ. 2562

XPS ตอน จำนวนรอบการสแกน (การทำวิทยานิพนธ์ภาคปฏิบัติ ตอนที่ ๙๘) MO Memoir : Friday 8 February 2562

เมื่อช่วงต้นปี ๒๕๖๑ ผมให้นิสิตส่งตัวอย่างตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 (10 wt% MoO3 1 wt% MgO) และ WO3-MgO/TiO2 (7 wt% WO3 1 wt% MgO) ไปวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XPS (x-ray photoelectron spectroscopy) เพื่อที่จะตรวจสอบการตกค้างของอะตอม N เพราะตัวเร่งปฏิกิริยาทั้งสองเตรียมด้วยวิธี wet impregnation ที่ใช้เกลือโลหะที่มี N เป็นองค์ประกอบ ((NH4)6Mo7O24 ในกรณีของโลหะ Mo และ (NH4)10H2(WO7)6.xH2O ในกรณีของโลหะ W) และทำการปรับค่า pH ของสารละลาย (ถ้าจำเป็น) ด้วยสารละลาย HNO3 หรือ NH4OH ในระหว่างกระบวนการเตรียม โดยมีการนำตัวเร่งปฏิกิริยาไปเผาในอากาศที่อุณหภูมิ 500ºC เป็นเวลาอย่างน้อย 2 ชั่วโมงเพื่อให้เหลือแต่โครงสร้างโลหะออกไซด์บนพื้นผิว (พวกแอมโมเนียมหรือไนเทรตควรที่จะสลายตัวไปหมด)
 
การวิเคราะห์กระทำในภาวะสุญญากาศยวดยิ่ง (Ultra High Vacuum หรือ UHV) ที่ระดับประมาณ 10-6 Pa โดยในการวิเคราะห์นั้นหลังจากที่ได้ทำ survey scan ก็จะทำการวัดละเอียดตรงบริเวณค่าพลังงานยึดเหนี่ยว (หรือ binding energy ที่มีหน่วยเป็นอิเล็กตรอนโวลต์ eV) สำหรับธาตุ N นั้นจะอยู่ที่บริเวณ 400 eV โดยในการวัดละเอียดนั้นทางผู้ทำการวิเคราะห์ทำการสแกนค่าทีละ 0.1 eV โดยวัดที่แต่ละตำแหน่งนาน 0.2985 วินาทีก่อนย้ายไปวัดที่ตำแหน่งถัดไป และทำการสแกนซ้ำทั้งหมด "3 รอบ" (คือผมมารู้ทีหลังว่าเจ้าหน้าที่ที่ทำการวิเคราะห์ตัวอย่างเขาตั้งค่า default ไว้ที่นี่ ถ้าไม่มีการระบุอะไรเขาก็จะสแกนเพียงแค่ 3 รอบ) ข้อมูลดิบที่ได้มานั้นเคยนำมาแสดงไว้ใน Memoir ปีที่ ๑๐ ฉบับที่ ๑๕๒๕ วันอังคารที่ ๖ มีนาคม พ.ศ. ๒๕๖๑ เรื่อง "รู้ทันนักวิจัย (๙) อยากให้มีพีคก็จัดให้ได้"
 
ตอนที่เห็นข้อมูลดิบและผลการวิเคราะห์ที่ซอฟแวร์ของเครื่องแปลผลให้นั้น ผมก็ไม่คิดว่ามันจะใช้ได้ ก็เลยบอกให้ส่งตัวอย่างเดิมไปวิเคราะห์ใหม่ แต่ครั้งนี้ขอเพิ่มรอบการสแกนขึ้นเป็น "20 รอบ" แต่กว่าจะได้ส่งตัวอย่างไปอีกครั้งก็ผ่านไปตั้งร่วมปี เมื่อวานเพิ่งจะได้ผมการวิเคราะห์มาก็เลยขอนำมาเปรียบเทียบกัน (แต่ละตัวอย่างใช้เวลาตั้งแต่ใส่ตัวอย่างเข้าเครื่อง รอจนความดันลดต่ำมากพอ และวิเคราะห์เสร็จ ก็ใช้หมดเวลาไป ๒ ชั่วโมง)
 
ในเว็บ https://xpssimplified.com/elements/nitrogen.php (ข้อมูล ณ วันศุกร์ที่ ๘ กุมภาพันธ์ ๒๕๖๒) ให้ข้อมูลค่า Binding energy (พลังงานยึดเหนี่ยว) ของ N1s (เมื่อใช้รังสีเอกซ์ Mg1s) เมื่อยู่ในรูปสารประกอบต่าง ๆ ไว้ดังนี้คือ Metal nitrides ~397 eV, NSi3 (Si3N4) 398.0 eV, NSi2O 399.9 eV, NSiO2 402.5 eV, C-NH2 ~400 eV และ Nitrate > 405 eV กล่าวโดยหลักการก็คือ ค่าพลังงานยึดเหนี่ยวของ N1s จะเพิ่มมากขึ้นถ้าหากอะตอม N ถูกดึงอิเล็กตรอนออก (เช่นในกรณีของหมู่ nitrate ที่มันถูกอะตอม O ดึงอิเล็กตรอนออก) และจะลดลงถ้าอะตอมอื่นจ่ายอิเล็กตรอนให้อะตอม N (เช่นในกรณีของสารประกอบ metal nitride) ดังนั้นถ้าพิจารณากันตามหลักการนี้ กรณีของอะตอม N ที่ไม่ถูกดึงอิเล็กตรอนออกหรือได้รับอิเล็กตรอนนั้น อิเล็กตรอน N1s ก็น่าจะมีค่าพลังงานยึดเหนี่ยวอยู่ที่ประมาณ 400 eV
 
ตัวอย่างที่เป็นของแข็งมีรูพรุนนั้นมันจะมีอากาศอยู่ในรูพรุน การดึงอากาศออกจากรูพรุนขนาดเล็กเหล่านี้ให้หมดทำได้ยาก ในกรณีของการวัด XPS นั้นแม้ว่าเราจะใส่ตัวอย่างไว้ในสุญญากาศเป็นเวลาที่คิดว่านานพอ แต่เอาเข้าจริง ๆ พอเริ่มฉายรังสีเอ็กซ์ลงไปก็จะเห็นความดันในห้องวิเคราะห์เพิ่มสูงขึ้น อันเป็นผลจากการที่มีความร้อนทำให้อากาศที่ค้างอยู่นั้นหลุดออกมาจากรูพรุน ดังนั้นถ้าต้องการวัด N ที่อาจมีอยู่ในปริมาณต่ำ ๆ แล้วจึงเห็นว่าควรที่จะทำสุญญากาศให้นานพอและวัดด้วยจำนวนรอบการสแกนที่มากพอ เพื่อเป็นการลด noise ของการวัด และตัดสัญญาณแก๊ส N2 ที่ค้างอยู่บนตัวอย่าง

รูปที่ ๑ ผลการวัด XPS ของตัวอย่างตัวเร่งปฏิกิริยา WO3-MgO/TiO2 ช่วงบริเวณ N1s แกนนอนคือ Binding energy (B.E. - eV) แกนตั้งคือสัญญาณ (count) รูปบนเป็นค่าที่ได้จากการสแกน 3 รอบ ส่วนรูปล่างได้จากการสแกน 20 รอบ ผลการวัดไม่แสดงการมีพีคไนโตรเจน ความดันของการวัดอยู่ในช่วง 5-6 x 10-6 Pa

รูปที่นำมาแสดงในที่นี้ใช้สเกลแกนตั้งขนาดเดียวกัน (คือ 450 หน่วย) เพื่อให้ง่ายในการเปรียบเทียบ โดยรูปที่ ๑ เป็นตัวอย่าง WO3-MgO/TiO2 ซึ่งจะเห็นว่าเมื่อเพิ่มจำนวนรอบการสแกนเป็น 20 รอบนั้น สัญญาณที่วัดได้เรียบลงมาก ระดับ noise ที่ระดับปริมาณ 100 หน่วยเมื่อสแกนเพียงแค่ 3 รอบ ลดลงเหลือประมาณ 25 หน่วยเมื่อเพิ่มรอบการสแกนเป็น 20 รอบ ซึ่งทำให้สามารถยืนยันได้ว่าตัวเร่งปฏิกิริยาที่เตรียมนั้นไม่มีอะตอม N ตกค้างอยู่บนพื้นผิว
 
รูปที่ ๒ เป็นของตัวอย่าง MoO3-MgO/TiO2 ซึ่งถ้าเปรียบเทียบความเรียบของสัญญาณก็จะเห็นชัดเช่นกันว่าการเพิ่มรอบการสแกนจาก 3 รอบเป็น 20 รอบนั้นช่วยลด noise ลงได้มาก ทำให้การแปลผลทำได้ง่ายขึ้นและถูกต้องมากขึ้น ส่วนที่ว่าควรสแกนกี่รอบดีนั้นตัวที่เป็นตัวกำหนดคือค่า Singal to Noise (S/N) ratio กล่าวคือควรต้องทดลองทำการสแกนซ้ำไปเรื่อย ๆ จนกว่าจะพบว่าค่า noise ที่เห็นนั้นไม่ลดลงแล้ว ซึ่งตรงนี้ขึ้นอยู่กับแต่ละตัวอย่าง 

รูปที่ ๒ ผลการวัด XPS ของตัวอย่างตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 ช่วงบริเวณ N1s แกนนอนคือ Binding energy (B.E. - eV) แกนตั้งคือสัญญาณ (count) รูปบนเป็นค่าที่ได้จากการสแกน 3 รอบ ส่วนรูปล่างได้จากการสแกน 20 รอบ ที่ปรากฏพีคที่ค่า B.E. ประมาณ 398 eV ซึ่งเป็นตำแหน่งที่เป็นไปได้ทั้งพีค N1s ของไนโตรเจน (oxidation state 0) หรือ Mo3p ของโมลิบดีนัม ความดันของการวัดอยู่ในช่วง 5-6 x 10-6 Pa

แต่สิ่งหนึ่งที่พบในกรณีของตัวอย่าง MoO3-MgO/TiO2 คือการมีพีคหนึ่งที่เด่นชัดที่ตำแหน่งประมาณ 398 eV ซึ่งตำแหน่งนี้จะว่าไปแล้วไม่ใช่ตำแหน่งของสารประกอบ nitrate แต่เป็นตำแหน่งที่ใกล้เคียงกับอะตอม N ที่มี oxidation state เป็นศูนย์หรือลบเล็กน้อย แต่พอลองค้นคว้าดูก็พบว่ามีคำเตือนเอาไว้ในเว็บที่กล่าวไว้ตอนต้นว่า ตำแหน่ง N1s นี้อาจซ้อนทับกับพีคจากธาตุ Ta, Mo หรือ Cd ได้ โดยเฉพาะในกรณีของธาตุ Mo ที่พีค Mo3p3/2 และ Mo3p1/2 อยู่ในช่วง 370–455 eV แถมตัวอย่างนี้ก็ยังมี Mo เป็นองค์ประกอบในปริมาณมากซะด้วย ซึ่งหลังจากที่พิจารณาแล้วเห็นว่าพีคนี้ควรเป็นพีคของ Mo (ที่อยู่ในรูป Mo6+ ที่จะกล่าวถึงในตอนต่อไป) ไม่ใช่ของ N
 
ข้อมูลในเว็บเดียวกันนี้ยังกล่าวเอาไว้ว่า ในกรณีที่ตัวอย่างมีธาตุ Ta เป็นองค์ประกอบ ก็ให้ทำการวัดค่าพลังงานยึดเหนี่ยวของ Ta4p3/2 ในช่วง 370–450eV เอาไว้ด้วย นอกจากนี้ยังได้กล่าวเอาไว้ว่าในกรณีที่มีการทำ supttering พื้นผิว (การใช้ไอออน Ar ยิงไปบนพื้นผิวเพื่อสกัดเอาอะตอมบนผิวหน้าพื้นผิวออก) ถ้ามีการตรวจพบ N ทั้ง ๆ ที่มันไม่ควรจะมี นั่นอาจเป็นเพราะว่ามีการรั่วไหลของอากาศเข้าไปในระบบจ่ายแก๊ส Ar นั่นแสดงว่าแม้อะตอม N จะอยู่ในรูปของโมเลกุลแก๊ส ก็ยังสามารถให้สัญญาณ xps ได้ ดังนั้นการแปลผล xps ของ N จึงควรต้องใช้ความระมัดระวัง

รูปที่ ๓ พีคเล็ก ๆ ที่อยู่ข้าง ๆ พีคใหญ่ไม่ได้แปลว่ามันต้องมี oxidation state ต่างจากพีคใหญ่เสมอ เพราะมันมีสิทธิเป็น "satellite peak" ได้เช่นกัน อย่างเช่นตัวอย่างนี้ (ภาพจากเว็บ https://xpssimplified.com/elements/nitrogen.php ข้อมูล ณ วันศุกร์ที่ ๘ กุมภาพันธ์ พ.ศ. ๒๕๖๒) ที่เป็นการวัดตัวอย่าง (ซ้าย) TiN พึงสังเกตว่าขนาดของ satellite peak นี้ไม่ได้ใหญ่มากและซ้อนทับกับส่วนฐานของพีคหลักอยู่ และ (ขวา) กรณีของ N-containing aromatic polymers (เช่น polyimide) ที่อาจมี -* satellite peak อยู่ห่างจากพีคหลักหลาย eV

เรื่องหนึ่งที่มีโอกาสได้พบเห็นอยู่บ่อยครั้งตอนสอนสัมมนานิสิตก็คือการแปลผลพีคเล็ก ๆ ที่อยู่ข้างพีคใหญ่ โดยมักจะสรุปทันทีที่เห็นว่ามันเป็นพีคของอะตอมที่มี oxidation state ต่างไปจากของพีคใหญ่เสมอ ทั้ง ๆ ที่ในความเป็นจริงมันไม่ได้เป็นเช่นนั้นตลอด (ดังตัวอย่างในรูปที่ ๓ ข้างบน) เพราะพอถามว่าแน่ใจหรือเปล่าว่ามันไม่ใช่ "satellite peak" ก็ปรากฏว่าคนถูกถามงงว่า satellite peak คืออะไร เพราะไม่เคยได้ยินคำนี้มาก่อน

แสดงว่าการที่พูดจานำเสนอได้คล่อง กับการรู้จริงว่ากำลังพูดอะไรออกมานั้น มันคนละเรื่องกัน

วันจันทร์ที่ 2 เมษายน พ.ศ. 2561

รู้ทันนักวิจัย (๑๐) อยากให้มีพีคก็จัดให้ได้ (๒) MO Memoir : Monday 2 April 2561

บางครั้งเวลาที่นิสิตในที่ปรึกษาจะต้องส่งตัวอย่างไปให้ผู้อื่นทำการวิเคราะห์ให้กับอุปกรณ์วัดบางชนิด ที่ผลนั้นขึ้นอยู่กับ การตั้งพารามิเตอร์ของเครื่อง ฝีมือและความเอาใจใส่ของผู้ที่ทำการวิเคราะห์ ผมจะบอกเขาให้แบ่งตัวอย่างบางตัวอย่างออกเป็นสองส่วน แล้วส่งไปเสมือนกับว่าเป็นตัวอย่างใหม่อีกตัวอย่างหนึ่ง การทำเช่นนี้ก็เพื่อทดสอบว่าผลการวิเคราะห์ที่ได้มานั้นน่าเชื่อถือแค่ไหน กล่าวคือสมมุติว่ามีตัวอย่าง A และ B ที่ต้องการวิเคราะห์ ก็จะบอกให้เขาส่งตัวอย่าง A เป็นตัวอย่างที่ ๑ ตัวอย่าง B เป็นตัวอย่างที่ ๒ และตัวอย่าง A เป็นตัวอย่างที่ ๓ ดังนั้นเมื่อได้รับผลการวิเคราะห์กลับมา ก็ต้องดูก่อนว่าผลการวิเคราะห์ของตัวอย่างที่ ๑ และ ๓ นั้นเหมือนกันหรือไม่ ซึ่งมันก็ควรที่จะต้องเหมือนกัน หรือถ้าพบว่าตัวเลขมีความแตกต่างกันอยู่บ้างเล็กน้อย (ซึ่งเป็นเรื่องปรกติของการวัด) ก็จะถือว่าความแตกต่างที่น้อยกว่าตัวเลขนั้นถือว่าไม่มีนัยสำคัญ แต่ถ้าพบว่าตัวเลขที่ได้มานั้นแตกต่างกันมาก ก็แสดงว่าผลการวิเคราะห์มีปัญหา และในกรณีที่มีสารมาตรฐานอยู่ด้วย ก็อาจให้ส่งสารมาตรฐานนั้นไปเป็นตัวอย่างอีกตัวอย่างหนึ่ง เพื่อใช้ยืนยันความถูกต้องของเครื่องมือวัด
 
เรื่องราวในวันนี้เป็นตอนต่อจาก Memoir ปีที่ ๑๐ ฉบับที่ ๑๕๒๕ วันอังคารที่ ๖ มีนาคม ๒๕๖๑ เรื่อง "รู้ทันนักวิจัย (๙) อยากให้มีพีคก็จัดให้ได้" โดยเป็นการส่งตัวอย่างเดิมที่ใช้ในครั้งนั้นไปให้วิเคราะห์ใหม่ด้วยสภาวะเดียวกัน (อาจแตกต่างกันอยู่บ้างในส่วนของความดันเมื่อเริ่มการวิเคราะห์) ตัวอย่างที่ส่งไปคือตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 และ WO3-MgO/TiO2
  
โดยรูปที่นำมาแสดงนั้นเป็นช่วงของ N 1s รูปที่ ๑ เป็นผลของตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 ที่ส่งไปวิเคราะห์ครั้งแรก ส่วนรูปที่ ๒ เป็นผลที่ได้จากการวิเคราะห์ในครั้งที่สอง และเช่นกัน รูปที่ ๓ เป็นผลของตัวเร่งปฏิกิริยา WO3-MgO/TiO2 ที่ส่งไปวิเคราะห์ครั้งแรก และรูปที่ ๔ เป็นผลที่ได้จากการวิเคราะห์ในครั้งที่สอง การประมวลผลการวิเคราะห์ (ไม่ว่าจะเป็นการหาเส้น base line หรือตำแหน่งและจำนวนพีค N 1s) นั้นกระทำโดยใช้ซอร์ฟแวร์ที่มากับตัวเรื่อง XPS (ที่ผู้ทำการวิเคราะห์ส่งมาให้พร้อมกับผลการวิเคราะห์ ผมไม่ได้เป็นคนทำเอง)
 
จะเห็นนะครับว่าผลที่ได้มานั้น "ไม่เหมือนกันเลย" และขนาดความสูงของพีคที่เครื่องแปลผลมานั้น (ในการวัดครั้งที่ ๒) ยังมีขนาดที่ไม่ได้ใหญ่กว่าขนาดของ noise เสียด้วย ผลการวิเคราะห์แบบนี้แหละครับ ที่เปิดโอกาสให้ส่งตัวอย่างเดิม ๆ ไปวัดซ้ำจนกว่าจะได้ตำแหน่งพีคตามที่ต้องการ
 
ในกรณีของสัญญาณที่มี noise เยอะนั้น มันไม่มีตัวเลขที่แน่นอนระบุไว้หรอกครับว่าควรต้องทำการวัดซ้ำกี่ครั้ง แต่มันมีหลักการอยู่ตรงที่ว่าควรทำจนกระทั่งไม่เห็นว่าได้ค่าอัตราส่วน singnal ต่อ noise นั้นเพิ่มขึ้นแล้ว ซึ่งตรงนี้ขึ้นอยู่กับตัวอุปกรณ์และชนิดของตัวอย่าง อย่างเช่นในกรณีนี้ก็เช่นกัน ดูเหมือนว่าทุกตัวอย่างที่ส่งไปนั้น (ไม่ว่าใครส่งไปก็ตาม) เขาจะทำการ scan ค่าให้แค่เพียงแค่ 3 รอบ ซึ่งถ้าเป็นกรณีของพีคขนาดใหญ่นั้น แม้ว่าค่าอัตราส่วน singnal ต่อ noise นั้นยังไม่ได้เพิ่มจนสูงสุด แต่ก็ยังพอจะบอกได้ว่ามีพีค แต่สำหรับกรณีของพีคขนาดเล็กที่สงสัยว่ามีอยู่หรือไม่นั้น การ scan จนได้ค่า อัตราส่วน singnal ต่อ noise ที่สูงที่สุดเท่าที่จะทำได้นั้นเป็นสิ่งสำคัญ และเมื่อทำการทดลองซ้ำและนำผลที่ได้นั้นมาทำการประมวลค่าเพื่อหาตำแหน่งพีค ก็ควรที่จะได้พีคที่ตำแหน่งเดียวกันด้วย
 
สิ่งสำคัญอีกสิ่งหนึ่งในการแปลผลว่าเป็นพีคหรือไม่ก็คือขนาด "ความกว้าง" ของพีคที่ได้หลังจากที่ได้ทำการ deconvolution แล้ว พีคของสัญญาณแต่ละชนิดมีความกว้างที่แตกต่างกันอยู่ ถ้าพบว่าความกว้างของพีคที่ได้จากการทำ deconvolution นั้นแคบกว่าที่ควรเป็น ก็น่าให้สงสัยก่อนเลยว่ามันไม่ใช่พีค แต่เป็นการจับเอา noise ที่เต้นแรงในบริเวณนั้นมาแปลผลเป็นพีค
 
สำหรับวันนี้ก็คงจะพอเพียงแค่นี้ก่อนครับ

รูปที่ ๑ กราฟ XPS ของตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 (บน) ข้อมูลดิบที่ได้จากการวิเคราะห์ (กลาง) เมื่อใช้โปรแกรมของเครื่องทำการหาแนวเส้น base line และ (ล่าง) ผลการทำ deconvolution การวิเคราะห์ทำที่ความดัน 4.9 x 10-6 Pa ตำแหน่ง Binding energy ของ C 1s อยู่ที่ 285.6 eV โดยมีพื้นที่ของพีค 7066.1 cps eV

รูปที่ ๒ กราฟ XPS ของตัวเร่งปฏิกิริยา MoO3-MgO/TiO2 ตัวเดียวกับในรูปที่ ๑ แต่ส่งให้ทำการวิเคราะห์ใหม่ด้วยสภาวะเดียวกัน (บน) ข้อมูลดิบที่ได้จากการวิเคราะห์ (กลาง) เมื่อใช้โปรแกรมของเครื่องทำการหาแนวเส้น base line และ (ล่าง) ผลการทำ deconvolution ตำแหน่ง Binding energy ของ C 1s อยู่ที่ 285.7 eV โดยมีพื้นที่ของพีค 7394.0 cps eV

รูปที่ ๓ กราฟ XPS ของตัวเร่งปฏิกิริยา WO3-MgO/TiO2 (บน) ข้อมูลดิบที่ได้จากการวิเคราะห์ (กลาง) เมื่อใช้โปรแกรมของเครื่องทำการหาแนวเส้น base line และ (ล่าง) ผลการทำ deconvolution การวิเคราะห์ทำที่ความดัน 4.7 x 10-6 Pa ตำแหน่ง Binding energy ของ C 1s อยู่ที่ 285.7 eV โดยมีพื้นที่ของพีค 7019.4 cps eV

รูปที่ ๔ กราฟ XPS ของตัวเร่งปฏิกิริยา WO3-MgO/TiO2 ตัวเดียวกับในรูปที่ ๓ แต่ส่งให้ทำการวิเคราะห์ใหม่ด้วยสภาวะเดียวกัน (บน) ข้อมูลดิบที่ได้จากการวิเคราะห์ (กลาง) เมื่อใช้โปรแกรมของเครื่องทำการหาแนวเส้น base line และ (ล่าง) ผลการทำ deconvolution การวิเคราะห์ทำที่ความดัน 4.7 x 10-6 Pa ตำแหน่ง Binding energy ของ C 1s อยู่ที่ 285.6 eV โดยมีพื้นที่ของพีค 4577.2 cps eV